BVR相比BV线来说要软、过流能力强、施工更方便，价格也要贵一些。由于BV线是单股线和同截面积BVR相比，它的铜丝要粗，当温度长期较高时不容易烧断；BVR线的铜丝比较细，温度较高时容易烧断其中一两根。只要电线中有一两根铜丝被烧断，那么烧断截面积减少，电阻更大，电线更容易被烧毁。在实际应用中，由于BVR线比较软，时间一长接头容易松动；而BV线相对来说就好很多，所以在家装中为了防止接头松动都要采取“挂锡”工艺。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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船用电缆：船用电力电缆、船用控制电缆、船用通讯电缆、船用无卤电缆、船用低烟型电缆、深水密封电缆、脐带电缆、船用耐盐碱电缆、码头电缆、船用同轴电缆、船用同轴电缆、CEFR船用橡胶电缆、船用射频电缆服务。矿用电缆：矿用通信电缆、电气装备电缆、矿用橡套软电缆、矿用电缆、矿用阻燃电缆、矿用橡套电缆、矿用控制电缆、矿用光缆、矿用分支电缆、矿用监测电缆、矿用屏蔽软电缆、高压矿用电缆、mc电缆、mcp电缆、mz电缆、mzp电缆、MYP矿用电缆、myq电缆、my电缆、mcptj电缆、myptj电缆、mvv电缆、mkvv电缆、myjv电缆、mkyjv电缆、mhyv电缆、ugf电缆、10kv橡套电缆、6kv矿用电缆服务。

如果SMOD=1，则同样的X初值得出的波特率加倍。用T2：在52型单片机中，串口方式3的波特率发生器选择由TCLK、RCLK位确定是T1还是T2。若TCLK=1，则发送器波特率来自T2，否则来自T1。若RCLK=1，则接收器波特率来自T2，否则来自T1。由T2产生的波特率与SMOD无关。T2定时的单元=2/fosc。T2的溢出脉冲16分频后作为串口的发送或接收脉冲。波特率=（1/（（2/fosc）（65536-X）））/16=fosc/（32（65536-X））例：已知fosc=11.059 92=FF70H计数器初值寄存器：RCAP2H=0FFH，RCAP2L=70H。直流接触器、直流继电器在线圈断电时，因线圈电流的突然变化，会产生很高的自感电动势，它与电源电压叠加在触点的间隙上，形成弧光放电。由于电弧的存在，一方面会烧坏触点，另一方面弧光放电过程中，电路有电流流过，对电路的其他元件造成破坏。为了消除电弧，可在触点两端并联电阻、电容灭弧，电路如上图所示。当接触器或继电器线圈断电时，由于电容的存在，一方面会使电路电抗减小，从而使产生的自感电动势减小；另一方面触点间隙的电压，通过电阻、电容形成通路迅速放电，避免了电弧的产生。﹑好木雕文化广场工程电气图审工作，发现有疑问的地方及时设计院确认，确认后反馈给施工单位，同时配合土建﹑水暖工程师的工作。3﹑精品商务楼配变所工程程序及安全工作 直到11月21日送电运行，已完成空调机房电气设备正常运行。三﹑存在的不足及措施1﹑沟通能力还应加强，没有充分利用资源。在工作的过程中，由于对其它专业不太熟悉，造成工作效率降低甚至出现错误。应主动加强和其他部门同事的沟通，通过公司这个到资源共享，充分利用公司资源，提高主观能动性。单片机的复位时间大约在2个机械周期左右，具体需要看芯片数据手册。一般通过复位芯片或者复位电路，具体的阻容参数的计算，通过google查找。十、按键抖动及消除按键也是机械装置，在按下或放的一瞬间会产生抖动，如下图：消除方法有两种：软件除抖和硬件除抖，其中硬件除抖是应用了电容对高频信号短路的原理。软件除抖是检测出键闭合后执行一个延时程序，产生5ms～10ms的延时，让前沿抖动消失后再一次检测键的状态，如果仍保持闭合状态电平，则确认为真正有键按下。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。